- Cours (CM) 14h
- Cours intégrés (CI) -
- Travaux dirigés (TD) -
- Travaux pratiques (TP) -
- Travail étudiant (TE) -
Langue de l'enseignement : Français
Description du contenu de l'enseignement
- Rappels de physique des composants élémentaires (jonctions, capacité MOS, MOSFET)
- Étude des principaux effets physiques dans les technologies CMOS avancées.
- Étude critique des principaux modèles compacts du TMOS dédiés à la conception.
- Extraction de paramètres & méthodologie associée.
- Aspects statistiques : Étude du " matching ” - Statistique des paramètres
- Le transistor MOSFET de puissance (aspects technologie et modélisation)
Compétences à acquérir
1. Disciplinaires
2. Transversales
- Savoir expliquer la technologie MOSFET et les effets associés liés à la réduction des dimensions.
- Savoir choisir le modèle compact de MOSFET le plus adapté pour la conception d’un circuit spécifique.
2. Transversales
- Savoir rechercher des informations et faire preuve d’analyse critique
- Savoir planifier son travail en pleine autonomie.
Contact
Faculté de physique et ingénierie
3-5, rue de l'Université67084 STRASBOURG CEDEX
Formulaire de contact
Responsable
Christophe Lallement