- Cours (CM) 20h
- Cours intégrés (CI) -
- Travaux dirigés (TD) 10h
- Travaux pratiques (TP) -
- Travail étudiant (TE) -
Langue de l'enseignement : Français
Description du contenu de l'enseignement
Principes physiques et modélisation des caractéristiques électriques (I-V, C-V) des principaux composants de la microélectronique :
- Jonctions P-N (approfondissement de l’homojonction, hétérojonction) ;
- Contacts métal/semi-conducteur (ohmiques, Schottky) ;
- Transistor bipolaire ;
- Transistor MOS.
Compétences à acquérir
1. Disciplinaires
2. Transversales
- Savoir expliquer d’un point de vue physique le fonctionnement d’une diode, d’un transistor bipolaire et d’un transistor MOS
- Savoir donner et manipuler les principales équations des modèles compacts de la diode, du transistor bipolaire et du transistor MOS utilisés en dimensionnement manuel de circuit intégré
- Savoir formuler et résoudre un problème physique du semi-conducteur
2. Transversales
- Savoir rechercher des informations et faire preuve d’analyse critique
- Savoir s’organiser et planifier son travail en pleine autonomie
Pré-requis obligatoires
Ce cours s'appuie sur les compétences développées par le cours "Matériaux et Composants" de la Licence mention SPI, parcours SE.
Les connaissances suivantes sont considérées comme acquises :
Les connaissances suivantes sont considérées comme acquises :
- Notions de physique des semi-conducteurs (bandes d'énergie, dopage, niveau de Fermi, transport électronique) ;
- Jonction P-N à l'équilibre et sous polarisation continue.
Contact
Faculté de physique et ingénierie
3-5, rue de l'Université67084 STRASBOURG CEDEX
Formulaire de contact
Responsable
Luc Hebrard